NX7002BKR 与 BSS138N H6327 区别
| 型号 | NX7002BKR | BSS138N H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NX7002BKR | A-BSS138N H6327 |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.5Ω@230mA,10V |
| 上升时间 | - | 3ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.31W | 360mW |
| Qg-栅极电荷 | - | 1.4nC |
| 输出电容 | 4.6pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS |
| 典型关闭延迟时间 | - | 6.7ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 0.27A | 230mA |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | BSS138 |
| 输入电容 | 23.6pF | - |
| 长度 | - | 2.9mm |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2.8Ω@200mA,10V | - |
| 下降时间 | - | 8.2ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 2.3ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,035 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX7002BKR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.31W -55°C~150°C ±20V 60V 0.27A |
暂无价格 | 3,035 | 当前型号 |
|
2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 |
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 39,600 | 对比 |
|
BSS138N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 230mA 3.5Ω@230mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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